參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1317
廠商: PANASONIC CORP
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: Silicon PNP triple diffusion planar type(For high power amplification)
中文描述: 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-3L-A1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商: 2SB1317
3
Power Transistors
2SB1317
R
th(t)
— t
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
0.1
1
10
100
10000
1000
(1)
(2)
Note: R
was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) P
T
=10V
×
0.2A (2W) and without heat sink
(2) P
T
=10V
×
1.0A (10W) and with a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
Time t (s)
T
t
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1319 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)
2SB1320 Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1320A Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1321A Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1322A Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1319 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANS. M-TYPE -30V -5A 1W BCE
2SB1320A0A 功能描述:TRANS PNP GP AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SB1320AQRTA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1321A 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1321A0A 功能描述:TRANS PNP LF AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR