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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1317 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP triple diffusion planar type(For high power amplification) |
| 中文描述： | 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3L-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2SB1317 |
1
Power Transistors
2SB1317
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TOP–3L Package
20.0
±
0.5
6
1
2
±
0
2
±
0
1
2
S
10.9
±
0.5
1
2
3
2.0
±
0.3
3.0
±
0.3
1.0
±
0.2
5.0
±
0.3
3.0
4
2
5.45
±
0.3
0.6
±
0.2
1.5
2.7
±
0.3
1.5
2
φ
3.3
±
0.2
3
Silicon PNP triple diffusion planar type
For high power amplification
Complementary to 2SD1975
I
Features
G
Satisfactory foward current transfer ratio h
FE
vs. collector cur-
rent I
C
characteristics
G
Wide area of safe operation (ASO)
G
High transition frequency f
T
G
Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier
I
Absolute Maximum Ratings
(T
C
=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–180
–180
–5
–25
–15
150
3.5
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(T
C
=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Forward current transfer ratio
Base to emitter voltage
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2*
h
FE3
V
BE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= –180V, I
E
= 0
V
EB
= –3V, I
C
= 0
V
CE
= –5V, I
C
= –20mA
V
CE
= –5V, I
C
= –1A
V
CE
= –5V, I
C
= –8A
V
CE
= –5V, I
C
= –8A
I
C
= –10A, I
B
= –1A
V
CE
= –5V, I
C
= – 0.5A, f = 1MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
20
60
20
typ
20
450
max
–50
–50
200
–1.8
–2.5
Unit
μ
A
μ
A
V
V
MHz
pF
T
C
=25
°
C
Ta=25
°
C
*
h
FE2
Rank classification
Rank
Q
S
P
h
FE2
60 to 120
80 to 160
100 to 200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1319 | Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
| 2SB1320 | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 2SB1320A | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 2SB1321A | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 2SB1322A | Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1319 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANS. M-TYPE -30V -5A 1W BCE |
| 2SB1320A0A | 功能描述:TRANS PNP GP AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1320AQRTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1321A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1321A0A | 功能描述:TRANS PNP LF AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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