參數(shù)資料
型號： 2SA2126
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Applications
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： 2SA2126
2SA2126
No.7990-2/4
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Ratings
typ
--135
--260
--0.96
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
--270
--520
--1.2
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--1A, IB=--50mA
IC=--2A, IB=--100mA
IC=--2A, IB=--100mA
IC=--10
μ
A, IE=0
IC=--100
μ
A, RBE=0
IC=--1mA, RBE=
∞
IE=--10
μ
A, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
--50
--50
--50
--6
30
230
18
Package Dimensions
unit : mm
2045B
Package Dimensions
unit : mm
2044B
Switching Time Test Circuit
IC -- VCE
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IT07642
0
--4.0
--4.5
--5.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
--0.4
--0.8
--1.2
--2.0
--1.6
--1.8
--0.2
--0.6
--1.0
--1.4
IC -- VBE
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IT07643
0
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
VCE= --2V
T7
°
C
2
°
C
-5
°
C
IB=0
--250mA
--200mA
--150mA
--100mA
--50mA
--20mA
--10mA
--5mA
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
4
5.0
0.85
0.7
0.6
1
5
7
0
1
7
0.5
1.2
2.3
0.5
1
2
3
2.3
2.3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
6.5
5.0
4
2.3
0.5
1
5
0
7
1
2
0.85
0.5
1.2
0
‘
0.2
2.3
2.3
0.6
1
2
3
VR
RL
VCC= --25V
VBE=5V
--10IB1=10IB2= IC= --1A
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
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