參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA2169
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications
中文描述： 進(jìn)步黨/瑞展硅晶體管的大電流開關(guān)應(yīng)用
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 58K
代理商： 2SA2169
2SA2169 / 2SC6017
No.8275-1/5
Applications
Relay drivers, lamp drivers, motor drivers.
Features
Adoption of MBIT process.
Large current capacitance.
Low collector-to-emitter saturation voltage.
High-speed switching.
Specifications
( ) : 2SA2169
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25
°
C
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
Conditions
Ratings
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Base Current
(--50)100
(--)50
(--)6
(--)10
(--)13
(--)2
0.95
PW
≤
100
μ
s
Collector Dissipation
PC
Tc=25
°
C
20
Junction Temperature
Storage Temperature
Tj
150
Tstg
--55 to +150
Electrical Characteristics
at Ta=25
°
C
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
(--)10
(--)10
(560)700
Unit
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
VCB=(--)40V, IE=0
VEB=(--)4V, IC=0
VCE=(--)2V, IC=(--)1A
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)5A, IB=(--)250mA
IC=(--)5A, IB=(--)250mA
μ
A
μ
A
200
(130)200
(90)60
(--290)180
(--)0.93
MHz
pF
mV
V
(--580)360
(--)1.4
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SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
Ordering number : ENN8275
32505EA TS IM TB-00001269
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control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
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parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
2SA2169 / 2SC6017
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
High-Current Switching
Applications
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SA2169-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 10A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SA2174G0L 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2174J0L 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2179 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching Applications
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