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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA2080 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | SILICON PNP EPITAXIAL |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | 2SA2080 |
2SA2080
Rev.0, Feb. 2002, page 4 of 6
V
CE
=
–
5 V
Pulse test
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
D
F
–
0.01
–
0.1
–
1.0
–
10
–
100
700
600
500
400
300
200
Collector Current I
C
(mA)
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
G
T
500
–
0.5
–
1.0
–
2
–
5
–
10
–
20
V
CE
=
–
10 V
Pulse test
400
300
200
100
0
Collector to Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Currrent
–
0.28
I
C
= 10 I
B
Collector Current I
C
(mA)
C
V
C
–
1
–
2
–
5
–
10
–
20
–
50
–
100
–
0.24
–
0.20
–
0.16
–
0.12
–
0.08
–
0.04
0
Ta = 75
°
C
25
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SA2080MCTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
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