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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA2080 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | SILICON PNP EPITAXIAL |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | 2SA2080 |
2SA2080
Rev.0, Feb. 2002, page 3 of 6
150
Ta = 75
°
C
25
Typical Transfer Characteristics
Maximum Collector Dissipation Curve
100
50
0
50
100
150
C
C
*
Ambient Temperature Ta (
°
C)
*Value on the glass epoxy board
(10 mm x 10 mm x 0.7 mm)
–
25
Typical Output Characteristics (1)
–
0.2
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
–
10
C
C
–
8
–
6
–
4
–
2
0
–
0.4
–
0.6
–
0.8
–
1.0
–
20
–
15
–
10
–
5
μ
A
I
B
= 0
–
10
Typical Output Characteristics (2)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
–
5
–
8
–
6
–
4
–
2
0
–
5
–
10
–
15
–
20
–
25
Pulse test
I
B
= 0
–
5
μ
A
–
10
–
15
–
20
–
25
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
C
C
–
0.2
–
0.4
–
0.6
–
0.8
–
1.0
–
4
–
3
–
2
–
1
0
V
CE
=
–
5 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SA2080B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SA2080C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SA2080D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SA2080MCTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
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