參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1836M7
廠商： NEC Corp.
英文描述： 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
中文描述： 5個(gè)引腳µ帶看門狗和手動(dòng)復(fù)位的P監(jiān)控電路
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 37K
代理商： 2SA1836M7
Data Sheet D15615EJ1V0DS
2
2SA1836
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
T
A
- Ambient Temperature - C
P
T
0
100
125
75
25
150
200
300
Free air
250
150
50
50
100
Whenmounedonceamcsubsraeo 30cmx064mm
2
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
BE
- Base to Emitter Voltage - V
I
C
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
100
10
30
1
3
0.1
0.3
0.01
0.03
T
A
5
C
2
C
–
2
C
V
CE
=
6.0 V
COLLECTOR CURRENT vs. COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100
80
60
40
20
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
1.2
1.6
2.0
1.8
I
B
=
0.2 mA
V
CE
- Collector to Emitter Voltage - V
I
C
COLLECTOR AND BASE SATURATION VOLTAGE vs.
COLLECTOR CURRENT
1
V
BE(sat)
5
2
1
10
100
20
50
0.2
0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
I
C
= 10 I
B
.
I
C
- Collector Current - mA
V
B
V
C
V
CE(sat)
V
CE
- Collector to Emitter Voltage - V
I
C
COLLECTOR CURRENT vs. COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
20
10
30
40
8
6
4
2
0
I
B
=
5.0
μ
A
40
35
30
25
20
15
10
45
OUTPUT CAPACITANCE vs. REVERSE VOLTAGE
5
2
1
10
100
20
50
10
2
5
1
0.5
0.2
0.1
f = 1.0 MHz
V
CB
- Collector to Base Voltage - V
C
o
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1857 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor for FM, RF, MIX, IF Amplifier High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications(用于FM, RF, MIX, IF放大器，高頻通用放大器應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管)
2SA1859 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(硅PNP外延平面晶體管)
2SA1859A Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(硅PNP外延平面晶體管)
2SA1860 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(硅PNP外延平面晶體管)
2SA1862 High-voltage Switching Transistor (−400V, −2A)
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參數(shù)描述
2SA1836-T1-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP Transistor,50V,0.1A,USM3 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R
2SA1837 功能描述:TRANS PNP -230V -1A TO220NIS RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1837(F 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 230V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SA1837(F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -230V -1A 100 to 320 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 230V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SA1837(F,M) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP - 230V -1A 20W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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