參數(shù)資料
型號： 2SA1860
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(硅PNP外延平面晶體管)
中文描述： 14 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PF, FM100, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 25K
代理商： 2SA1860
34
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
(Complement to type 2SC4886)
Application :
Audio and General Purpose
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SA1860
–150
–150
–5
–14
–3
80(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
–60
12
–5
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
f
T
C
OB
2SA1860
–100
max
–100
max
–150
min
50
min
–2.0
max
50
typ
400
typ
Unit
μ
A
μ
A
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=–150V
V
EB
=–5V
I
C
=–25mA
V
CE
=–4V, I
C
=–5A
I
C
=–5A, I
B
=–500mA
V
CE
=–12V, I
E
=2A
V
CB
=–10V, f=1MHz
R
L
(
)
I
C
(A)
V
(V)
5
I
(mA)
500
t
on
(
μ
s)
0.25typ
t
stg
(
μ
s)
0.85typ
t
f
(
μ
s)
0.2typ
I
(mA)
–500
LAPT
2S A1860
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
Safe Operating Area
(Single Pulse)
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
Pc–Ta Derating
0
0
–5
–10
–14
–1
–2
–3
–4
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
–50mA
–100mA
I
B
=–20mA
–0m
–600mA
–400mA
–300mA
–200mA
–150mA
0
–3
–2
–1
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
Base Current I
B
(A)
C
C
(
I
C
=–10A
–5A
–0.02
–0.1
–0.5
–5
–1
–10–14
20
50
100
200
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=–4V)
Typ
–10
–50
–5
–2
–100
–200
–0.05
–1
–0.5
–0.1
–10
–40
–5
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
Without Heatsink
Natural Cooling
DC
100ms
10ms
0.02
0.1
1
10
0
20
40
60
80
C
T
(
Z
)
(V
CE
=–12V)
Emitter Current I
E
(A)
Typ
θ
j-a
–t
Characteristics
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
0
–14
–10
–5
0
–2
–1
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=–4V)
15CCsTm)
–0 a ep
(V
CE
=–4V)
–0.02
–0.1
–0.5
–1
–5
–10 –14
30
50
100
200
Collector Current I
C
(A)
D
F
125C
25C
–30C
0.1
1
3
0.5
1
10
100
1000
2000
Time t(ms)
T
θ
j
(
80
60
40
20
3.5
00
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
V
(V)
–10
External Dimensions
FM100(TO3PF)
4.4
1.5
1.5
B
E
C
5.45
±0.1
3.3
±0.2
1
3
1.75
0
±
2.15
1.05
+0.2
-0.1
5.45
±0.1
2
±
1
9
±
5
15.6
±0.2
5.5
±0.2
3.45
3.35
0.65
+0.2
-0.1
±0.2
3
0.8
a
b
Weight : Approx 6.5g
a. Type No.
b. Lot No.
h
FE
Rank O(50to100), P(70to140), Y(90to180)
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PDF描述
2SA1862 High-voltage Switching Transistor (−400V, −2A)
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2SA1862TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 400V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1869-Y(JKT,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1869-Y(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -3A 120 to 240 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Tr.,PNP,50V/3A,hfe=120to240,TO-220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SA1869-Y(Q,M) 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1869-Y,MTSAQ(J 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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