參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1862
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： High-voltage Switching Transistor (−400V, −2A)
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 93K
代理商： 2SA1862
2SA1862
Transistors
High-voltage Switching Transistor
(
400V,
2A)
2SA1862
z
Features
1) High breakdown voltage. (BV
CEO
=
400V)
2) Low saturation voltage.
(Typ. V
CE
(sat)
=
0.3V at I
C
/ I
B
=
500mA /
100mA)
3) High switching speed, typically tf = 0.4
μ
s at I
C
=
1A.
4) Wide SOA (safe operating area).
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Rev.A
1/2
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
400
400
7
2
4
1
10
150
55 to
+
150
Unit
V
V
V
A (DC)
A (Pulse)
W
W (Tc=25
°
C)
°
C
°
C
Single pulse, Pw
=
10ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
z
External dimensions
(Unit : mm)
2
0
1
0
9.5
2.5
0.8Min.
1.5
6
2
(
(
C0.5
0
0.9
(
0
2
0
1.5
5.5
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
5
z
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
2SA1862
CPT3
P
TL
2500
Basic ordering unit (pieces)
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
CE(sat)
Min.
400
400
7
Typ.
0.3
Max.
10
10
0.5
1.2
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
V
Conditions
h
FE
f
T
Cob
ton
tstg
tf
82
18
30
0.2
1.8
0.4
180
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
400V
V
EB
=
5V
I
C
/I
B
=
0.5A/
0.1A
I
C
/I
B
=
0.5A/
0.1A
V
CE
=
5V, I
C
=
0.1A
V
CB
=
10V, I
E
=
0.1A, f
=
5MHz
V
CE
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
I
C
=
1A, R
L
=
150
I
B1
=
I
B2
=
0.2A
V
CC
150V
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
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PDF描述
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2SA1869-Y(JKT,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1869-Y(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -3A 120 to 240 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Tr.,PNP,50V/3A,hfe=120to240,TO-220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SA1869-Y(Q,M) 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1869-Y,MTSAQ(J 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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