參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1862
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： High-voltage Switching Transistor (−400V, −2A)
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： 2SA1862
2SA1862
Transistors
z
Electrical characteristic curves
0.5
Ta
=
25
°
C
4.5mA
C
C
Rev.A
2/2
C
C
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
Fig.1 Ground emitter output characteristics
2
0
4
6
8
10
0
0.4
0.3
0.2
0.1
I
B
=
0.5mA
1.0mA
1.5mA
2.0mA
2.5mA
3.0mA
3.5mA
4.0mA
5.0mA
-0.2
0
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
0.001
0.01
0.005
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
Fig.2 Grounded emitter propagation characteristics
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
0.001
0.002
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
0.005
1000
500
200
100
20
10
1
2
5
50
D
E
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.3 DC current gain vs. collector current
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
0.001
0.002
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
0.005
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
10
5
2
1
0.5
B
C
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage vs.
collector current
Base-emitter saturation voltage vs.
collector current
B
(
C
(
Ta
=
25
°
C
I
C
/I
B
=
5
V
CE(sat)
V
BE(sat)
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
2000
1000
200
100
10
20
50
500
10000
5000
E
C
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(V)
Fig.6
Collector output capacitance vs. collector-bass voltage
Emitter input capacitance vs. emitter-base voltage
i
(
o
(
Ta
25
°
C
f
=
0A
I
E
=
1000
500
C
ob
C
ib
0.001 0.002
0.01 0.02
0.05
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
0.005
20
10
2
5
200
100
50
T
EMITTER CURRENT : I
E
(A)
Fig.5 Gain bandwidth product vs. emitter current
T
(
Ta
=
25
C
V
CE
=
10V
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
10
5
2
1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.5
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
Fig.7 Safe operating area
Tc
°
C
Single
DC
I
C Max.
(Pulse)
Pw
=
10ms
100ms
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
100
10
0.01
0.1
1
1000
T
t
(
°
C
TIME : t (s)
Fig.8 Transient thermal resistance
(1)Using infinite heat sink
(2)Unmounted
(2)
(1)
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