參數(shù)資料
型號： 2SA1084
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Epitaxial
中文描述： 硅外延進(jìn)步黨
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 41K
代理商： 2SA1084
2SA1083, 2SA1084, 2SA1085
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
2SA1083
2SA1084
2SA1085
Item
Symbol Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base
breakdown voltage
V
(BR)CBO
–60
—
—
–90
—
—
–120 —
—
V
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
–60
—
—
–90
—
—
–120 —
—
V
I
C
= –1 mA,
R
BE
=
∞
Emitter to base
breakdown voltage
V
(BR)EBO
–5
—
—
–5
—
—
–5
—
—
V
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
—
–0.1
—
—
–0.1
—
—
–0.1
μ
A
V
CB
= –50 V, I
E
= 0
Emitter cutoff current
I
EBO
—
—
–0.1
—
—
–0.1
—
—
–0.1
μ
A
V
EB
= –2 V, I
C
= 0
DC current transfer ratio h
FE
*
1
250
—
800
250
—
800
250
—
800
V
CE
= –12 V,
I
C
= –2 mA
Collector to emitter
saturation voltage
V
CE(sat)
—
—
–0.2
—
—
–0.2
—
—
–0.2
V
I
C
= –10 mA,
I
B
= –1 mA
Base to emitter voltage
V
BE
—
–0.6
—
—
–0.6 —
—
–0.6 —
V
V
CE
= –12 V,
I
C
= –2 mA
Gain bandwidth product f
T
—
90
—
—
90
—
—
90
—
MHz V
CE
= –12 V,
I
C
= –2 mA
Collector output
capacitance
Cob
—
3.5
—
—
3.5
—
—
3.5
—
pF
V
CB
= –10 V, I
E
= 0,
f = 1 MHz
Noise voltage reffered
to input
e
n
—
0.5
—
—
0.5
—
—
0.5
—
nV/
√
Hz
V
CE
= –6V,
I
C
= –10 mA,
f = 1 kHz,
R
g
= 0,
f = 1Hz
Note:
D
1. The 2SA1083, 2SA1084 and 2SA1085 are grouped by h
FE
as follows.
E
250 to 500
400 to 800
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1085 Silicon PNP Epitaxial
2SA1102 PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
2SA1103 PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
2SA1104 Silicon Epitaxial Planar Transistor(GENERAL DESCRIPTION)
2SA1105 PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1084D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SA1084E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SA1084ETZ 功能描述:TRANSISTOR PNP 90V 100MA TO-92 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1084ETZ-E 功能描述:TRANSISTOR PNP 90V 100MA TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1085 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial
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