參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1084
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Epitaxial
中文描述： 硅外延進(jìn)步黨
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： 2SA1084
2SA1083, 2SA1084, 2SA1085
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
2SA1083
2SA1084
2SA1085
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
E
P
C
Tj
–60
–90
–120
V
Collector to emitter voltage
–60
–90
–120
V
Emitter to base voltage
–5
–5
–5
V
Collector current
–100
–100
–100
mA
Emitter current
100
100
100
mA
Collector power dissipation
400
400
400
mW
Junction temperature
150
150
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
–55 to +150
–55 to +150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1085 Silicon PNP Epitaxial
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2SA1103 PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
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2SA1105 PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
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參數(shù)描述
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2SA1084E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SA1084ETZ 功能描述:TRANSISTOR PNP 90V 100MA TO-92 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SA1085 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial
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