參數(shù)資料
型號： 2N7002/T1
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： 2N7002/T1
2N7002_6
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 28 April 2006
8 of 11
Philips Semiconductors
2N7002
N-channel TrenchMOS FET
7.
Package outline
Fig 13. Package outline SOT23
UNIT
A1
max.
bp
cD
E
e1
HE
Lp
Qw
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
04-11-04
06-03-16
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.1
0.48
0.38
0.15
0.09
3.0
2.8
1.4
1.2
0.95
e
1.9
2.5
2.1
0.55
0.45
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT23
TO-236AB
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
w M
v M A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
1.1
0.9
c
X
12
3
Plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002K 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002KT/R13 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002T/R 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002/T3 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002-T 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 0.115A 0.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N TO-236
2N7002-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
2N7002-T1-ER 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SOT23 NCH MOSFET 60V 7.5R
2N7002-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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