型號(hào): | 2N7002-G |
廠商: | SUPERTEX INC |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
中文描述: | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
封裝: | GREEN PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 4/5頁 |
文件大?。?/td> | 556K |
代理商: | 2N7002-G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N7002BKM | 60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET |
2N7002BKS | 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET |
2N7002BKT | 60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET |
2N7002BKV | 60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET |
2N7002E | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N7002-G_12 | 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:MOSFET |
2N7002G-AE2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:0.3A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET |
2N7002H-13 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 50mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):26pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 |
2N7002H6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
2N7002H6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KAN 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 |