參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002BKV
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
中文描述： 340 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
文件頁(yè)數(shù)： 1/16頁(yè)
文件大?。?/td> 351K
代理商： 2N7002BKV
1. Product profile
1.1 General description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small
SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET
technology.
1.2 Features and benefits
Logic-level compatible
Very fast switching
Trench MOSFET technology
ESD protection up to 2 kV
AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
Relay driver
High-speed line driver
Low-side loadswitch
Switching circuits
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm
2
.
2N7002BKV
60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
Rev. 2 — 22 September 2010
Product data sheet
Quick reference data
Parameter
drain-source voltage
gate-source voltage
drain current
Conditions
T
amb
= 25
°
C
T
amb
= 25
°
C
T
amb
= 25
°
C;
V
GS
= 10 V
T
j
= 25
°
C;
V
GS
= 10 V;
I
D
= 500 mA
Min
-
-
Typ
-
-
-
Max
60
±
20
340
Unit
V
V
mA
[1]
-
R
DSon
drain-source on-state
resistance
-
1
1.6
Ω
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002E 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
2N7002LT1 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002LT1G Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002LT3 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002LT3G Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2N7002BKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:350mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:370mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7002BKW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.31A SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT323, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT323, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:310mA, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V, Power , RoHS Compliant: Yes
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2N7002BKW115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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