參數(shù)資料
型號(hào): 2N7002BKV
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
中文描述: 340 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
文件頁數(shù): 9/16頁
文件大?。?/td> 351K
代理商: 2N7002BKV
2N7002BKV
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 22 September 2010
9 of 16
NXP Semiconductors
2N7002BKV
60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
I
D
= 300 mA; V
DD
= 6 V; T
amb
= 25
°
C
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 15. Gate charge waveform definitions
V
GS
= 0 V
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
Fig 16. Source current as a function of source-drain voltage; typical values
Q
G
(nC)
0.0
0.8
0.6
0.2
0.4
017aaa047
2.0
3.0
1.0
4.0
5.0
V
GS
(V)
0.0
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
V
SD
(V)
0.0
1.2
0.8
0.4
017aaa048
0.4
0.8
1.2
I
S
(A)
0.0
(1)
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002E 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
2N7002LT1 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002LT1G Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002LT3 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002LT3G Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002BKV,115 功能描述:MOSFET Dual N-Channel 60V 340mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002BKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):350mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):370mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7002BKW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.31A SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT323, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT323, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:310mA, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V, Power , RoHS Compliant: Yes
2N7002BKW,115 功能描述:MOSFET Single N-Channel 60V 300mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002BKW115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: