參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002-G
廠商： SUPERTEX INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
中文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： GREEN PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 556K
代理商： 2N7002-G
2
2N7002
Electrical Characteristics
(T
A
=25°C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
BV
DSS
V
GS(th)
V
GS(th)
I
GSS
Min
60
1.0
-
-
-
Typ
-
-
-
-
-
Max
-
2.5
-5.5
±100
1.0
Units
V
V
mV/
O
C
nA
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 10μA
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= Max rating
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8Max rating,
T
A
= 125
O
C
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 5.0V, I
D
= 50mA
V
GS
= 10V, I
D
= 500mA
V
GS
= 10V, I
D
= 500mA
V
DS
= 25V, I
D
= 500mA
Drain-to-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Change in V
GS(th)
with temperature
Gate body leakage current
I
DSS
Zero gate voltage drain current
μA
-
-
500
I
D(ON)
ON-state drain current
500
-
-
-
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
mA
R
DS(ON)
Static drain-to-source
ON-state resistance
7.5
7.5
1.0
-
50
25
5
20
20
-
-
Ω
R
DS(ON)
G
FS
C
ISS
C
OSS
C
RSS
t
(ON)
t
(OFF)
V
SD
t
rr
Notes:
1.All D.C. parameters 100% tested at 25
O
C unless otherwise stated. (Pulse test: 300μs pulse, 2% duty cycle.)
2.All A.C. parameters sample tested.
Change in R
DS(ON)
with temperature
Forward transconductance
Input capacitance
Common source output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-ON time
Turn-OFF time
Diode forward voltage drop
Reverse recovery time
%/
O
C
mmho
pF
V
GS
= 0V,
V
= 25V,
f = 1.0MHz
ns
V
DD
= 30V, I
D
= 200mA,
R
GEN
= 25
1.2
400
V
ns
V
GS
= 0V, I
SD
= 200mA
V
GS
= 0V, I
SD
= 800mA
Switching Waveforms and Test Circuit
10V
Thermal Characteristics
Device
Package
I
(continuous)
*
(mA)
115
I
(pulsed)
(mA)
800
Power Dissipation
@T
A
= 25
O
C
(W)
0.36
θ
jc
(
O
C/W)
θ
ja
(
O
C/W)
I
(mA)
*
I
(mA)
2N7002
Notes:
* I
D
(continuous) is limited by max rated T
J
.
TO-236AB
200
350
115
800
90%
10%
90%
90%
10%
10%
PULSE
GENERATOR
V
DD
R
L
OUTPUT
D.U.T.
t
(ON)
t
d(ON)
t
(OFF)
t
d(OFF)
t
F
t
r
INPUT
INPUT
OUTPUT
V
DD
R
GEN
0V
0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002BKM 60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET
2N7002BKS 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET
2N7002BKT 60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET
2N7002BKV 60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
2N7002E 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002-G_12 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:MOSFET
2N7002G-AE2-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:0.3A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
2N7002H-13 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:26pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
2N7002H6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
2N7002H6327XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KAN 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
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