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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6660 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流1.1A的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
| 中文描述： | N溝道增強型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓60V的，夾斷電流1.1A的的N溝道增強型MOSFET的晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | 2N6660 |
2N6660, VQ1004J/P
Vishay Siliconix
www.Vishay Siliconix.com FaxBack 408-970-5600
11-4
Document Number: 70222
S-00208—Rev. D, 21-Feb-00
Threshold Region
Capacitance
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
N
T
t
1
– Square Wave Pulse Duration (sec)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
–
I
C
–
V
t
10
1
0.01
0.5
0.1
1.0
1.5
2.0
VDS= 5 V
25 C
–55 C
125 C
T
J
= 150 C
Coss
120
100
80
0
0
10
50
60
40
20
30
40
20
Ciss
Crss
VGS= 0 V
f = 1 MHz
15.0
12.5
10.0
0
0
100
600
7.5
5.0
200
300
400
2.5
500
ID= 1.0 A
30 V
48 V
0.1
1
10
100
10
1
50
20
5
2
V
DD
= 25 V
R
G
= 25
V
GS
= 0 to 10 V
t
d(off)
t
r
t
d(on)
t
f
0.1
10 K
1.0
0.01
0.1
1.0
100
10
1 K
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (TO-205AD)
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJC
= 20 C/W
3. T
JM
– T
C
= P
DM
Z
thJC(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Single Pulse
0.02
0.05
0.01
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6661 | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓90V,夾斷電流0.9A的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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