參數(shù)資料
型號： 2N6509T
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
中文描述： 25 A, 800 V, SCR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 72K
代理商： 2N6509T
2N6504 Series
http://onsemi.com
4
1.0
0.7
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
100
0.2
0.3
0.5
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
25
°
C
125
°
C
0.4
0.1
Z
JC(t)
= R
JC
r(t)
1 CYCLE
1.0
200
SURGE IS PRECEDED AND
FOLLOWED BY RATED CURRENT
T
C
= 85
°
C
f = 60 Hz
NUMBER OF CYCLES
225
250
275
300
20
2.0
3.0
4.0
6.0
8.0
10
0.1
0
0.01
t, TIME (ms)
3.0
5.0
175
0.2
0.3
0.5
0.7
7.0
5.0
1.0
2.0
10
50
3.0
20
30
70
v
F
, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
1.2
2.0
1.6
2.4
2.8
0.8
30
50
100
200 300
500
2.0 k
10
3.0 k 5.0 k
10 k
1.0 k
I
T
r
F
Figure 3. Typical OnState Characteristics
Figure 4. Maximum NonRepetitive Surge Current
Figure 5. Thermal Response
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6509TG Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
2N6504 Reverse Blocking Thyristor(25A（均方根值），50V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6505 Silicon Controlled Rectifiers
2N6507 Silicon Controlled Rectifiers
2N6508 Silicon Controlled Rectifiers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6509TG 功能描述:SCR 800V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N650A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:alloy-junction germanium transistors
2N651 制造商:Motorola Inc 功能描述:
2N6510 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 200V 7A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6511 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 250V 7A 3PIN TO-3 - Bulk
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