參數(shù)資料
型號： 2N6509T
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
中文描述： 25 A, 800 V, SCR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： 2N6509T
2N6504 Series
http://onsemi.com
3
+ Current
+ Voltage
V
TM
I
DRM
at V
DRM
I
H
Symbol
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
Parameter
Peak Repetitive Off State Forward Voltage
Peak Forward Blocking Current
Peak Repetitive Off State Reverse Voltage
Peak Reverse Blocking Current
Peak On State Voltage
Holding Current
Voltage Current Characteristic of SCR
Anode +
on state
Reverse Blocking Region
(off state)
Reverse Avalanche Region
Anode
Forward Blocking Region
(off state)
I
RRM
at V
RRM
C
T
°
dc
180
°
16
12
0
80
90
10
0
110
13
0
60
°
α
= 30
°
0
4.0
I
T(AV)
, ON-STATE FORWARD CURRENT (AMPS)
8.0
12
20
α
= CONDUCTION ANGLE
α
90
°
P
(
180
°
90
°
24
0
8.0
16
32
T
J
= 125
°
C
dc
60
°
α
= 30
°
I
T(AV)
, AVERAGE ON-STATE FORWARD CURRENT (AMPS)
16
0
4.0
8.0
12
20
α
= CONDUCTION ANGLE
α
Figure 1. Average Current Derating
Figure 2. Maximum OnState Power Dissipation
相關PDF資料
PDF描述
2N6509TG Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
2N6504 Reverse Blocking Thyristor(25A（均方根值），50V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6505 Silicon Controlled Rectifiers
2N6507 Silicon Controlled Rectifiers
2N6508 Silicon Controlled Rectifiers
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N6509TG 功能描述:SCR 800V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N650A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:alloy-junction germanium transistors
2N651 制造商:Motorola Inc 功能描述:
2N6510 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 200V 7A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6511 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 250V 7A 3PIN TO-3 - Bulk
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