參數(shù)資料
型號： 2N6427G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Darlington Transistors NPN Silicon
中文描述： 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： 2N6427G
2N6426, 2N6427
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage, (Note 1)
(I
C
= 10 mAdc, V
BE
= 0)
V
(BR)CEO
40
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
40
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
12
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 25 Vdc, I
B
= 0)
I
CES
1.0
Adc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 10 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
50
nAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain, (Note 1)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
2N6426
2N6427
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
2N6426
2N6427
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
2N6426
2N6427
h
FE
20,000
10,000
30,000
20,000
20,000
14,000
200,000
100,000
300,000
200,000
200,000
140,000
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 0.5 mAdc)
(I
C
= 500 mAdc, I
B
= 0.5 mAdc
V
CE(sat)
0.71
0.9
1.2
1.5
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 500 mAdc, I
B
= 0.5 mAdc)
V
BE(sat)
1.52
2.0
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
V
BE(on)
1.24
1.75
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
obo
5.4
7.0
pF
Input Capacitance
(V
EB
= 1.0 Vdc, I
C
= 0, f = 1.0 MHz)
C
ibo
10
15
pF
Input Impedance
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N6426
2N6427
h
ie
100
50
2000
1000
k
SmallSignal Current Gain
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N6426
2N6427
hfe
20,000
10,000
CurrentGain High Frequency
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
2N6426
2N6427
|h
fe
|
1.5
1.3
2.4
2.4
Output Admittance
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
h
oe
1000
mhos
Noise Figure
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, R
S
= 100 k , f = 1.0 kHz)
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
NF
3.0
10
dB
2.0%.
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PDF描述
2N6427RLRAG Darlington Transistors NPN Silicon
2N6429 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
2N6439 POWER TRANSISTOR
2N6439 60 W, 225 to 400 MHz CONTROLLED “Q” BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
2N6477 Shrink Tubing; Tubing Size Diameter:0.5"; Wall Thickness Recovered Nominal:0.055"; Inner Diameter Max Recovered:0.195"; Expanded Inner Diameter:0.500"; Material:Polyolefin
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參數(shù)描述
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2N6428 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2N6428A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2N6428ABU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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