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參數資料
| 型號： | 2N5460 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓40V，最小飽和漏極電流-1mA的P溝道結型場效應管) |
| 中文描述： | P溝道場效應（最小柵源擊穿電壓40V的，最小飽和漏極電流，一毫安的P溝道結型場效應管） |
| 文件頁數： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | 2N5460 |
2N/SST5460 Series
Siliconix
S-52431—Rev. C, 05-May-97
5
Typical Characteristics (Cont’d)
–0.01
–0.1
–1
100
80
0
60
40
20
A
V
–
I
D
– Drain Current (mA)
Assume V
DD
= –15 V, V
DS
= –5 V
g
fs
R
L
1
R
L
g
os
V
GS(off)
= 1.5 V
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
10
0
4
8
12
16
20
8
6
4
2
0
5
0
4
8
12
16
20
0
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
Common-Source Input Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
–
C
i
–5 V
–15 V
f = 1 MHz
Common-Source Reverse Feedback Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
–
C
r
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–5 V
–15 V
f = 1 MHz
2.5
–0.1
–1
–10
10
1
0.1
Common-Source Forward Transconductance
vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
g
f
T
A
= –55 C
125 C
10
100
1 k
100 k
10 k
100
10
1
–0.1
–1
–10
20
16
0
12
8
4
Output Conductance vs. Drain Current
S
g
o
–
I
D
– Drain Current (mA)
T
A
= –55 C
125 C
Equivalent Input Noise Voltage vs. Frequency
f – Frequency (Hz)
V
DS
= –15 V
I
D
= –0.1 mA
I
D
= –1 mA
25 C
V
DS
= –15 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
= 3 V
V
DS
= –15 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
= 3 V
V
GS(off)
= 3 V
25 C
A
V
R
L
10 V
I
D
(
e
n
/
√
)
–
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5461 | P-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓40V，最小飽和漏極電流-2mA的P溝道結型場效應管) |
| 2N5462 | P-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓40V，最小飽和漏極電流-4mA的P溝道結型場效應管) |
| 2N5484 | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小漏極飽和電流1mA的N溝道結型場效應管) |
| 2N5485 | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小漏極飽和電流4mA的N溝道結型場效應管) |
| 2N5486 | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小漏極飽和電流8mA的N溝道結型場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5460/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:JFET Amplifier P-Channel |
| 2N5460_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:JFET Amplifier P−Channel − Depletion |
| 2N5460_D27Z | 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| 2N5460_D74Z | 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| 2N5460_D75Z | 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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