參數(shù)資料
型號： 2N5400D74Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 546K
代理商： 2N5400D74Z
Typical Characteristics
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
170
180
190
200
210
220
RESISTANCE (k )
BV
-BR
E
A
KD
OW
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
CE
R
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
50
100
150
200
I
- COLLECTOR CURRENT (A)
h
-
TY
P
IC
A
L
P
U
LS
E
D
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
FE
- 40 °C
25 °C
C
V
= 5V
CE
125 °C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collect or Current
0.1
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
L
E
C
T
O
R
-E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
ESA
T
C
β = 10
125 °C
- 40 °C
25 °C
Base-Emitt er ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE
-E
M
IT
T
ER
O
N
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
BE
(O
N)
125 °C
- 40 °C
25 °C
C
V
= 5V
CE
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT ( mA)
V
-
BA
S
E
-E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
BE
S
A
T
C
β = 10
125 °C
- 40 °C
25 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
100
T
- AM BIENT TE MPE RATURE ( C)
I
-
C
O
L
E
C
T
O
R
C
U
RR
E
N
T
(n
A)
A
V
= 10 0V
CB
O
°
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
2
N5
400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5400J18Z 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5400J05Z 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5401-AP 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5401-BP 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5401/D75Z-J25Z 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5400G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 130V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5400RA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5400RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 130V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5400RLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 130V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5400S 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
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