參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5400D74Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 546K
代理商： 2N5400D74Z
2N5400
PNP General Purpose Amplifier
2N5400
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring high voltages.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
120
V
VCBO
Collector-Base Voltage
130
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5.0
V
IC
Collector Current - Continuous
600
mA
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Symbol
Characteristic
Max
Units
2N5400
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
°C/W
C
B
E
TO-92
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
2N5400, Rev A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5400J18Z 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5400J05Z 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5401-AP 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5401-BP 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5401/D75Z-J25Z 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2N5400RA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5400RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 130V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2N5400S 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
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