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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5210D75Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/11頁(yè) |
| 文件大小： | 570K |
| 代理商： | 2N5210D75Z |
Typical Characteristics (continued)
Input and Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
04
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
CAP
AC
IT
AN
CE
(
p
F
)
f = 1.0 MHz
C ob
C te
Wideband Noise Frequency
vs Source Resistance
1,000
2,000
5,000
10,000
20,000
50,000
100,000
0
1
2
3
4
5
R
- SOURCE RESISTANCE ( )
N
F
-
NO
IS
E
F
IG
U
RE
(
d
B)
V
= 5.0 V
BANDWIDTH = 15.7 kHz
CE
I
= 10
A
C
I
= 100
A
C
S
I
= 30
A
C
Contours of Constant Gain
Bandwidth Product (f )
0.1
1
10
100
1
2
3
5
7
10
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
L
E
CT
O
R
V
O
LT
AG
E
(V
)
C
175 MHz
T
CE
150 MHz
125 MHz
75 MHz
100 MHz
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
125
250
375
500
625
TEMPERATURE ( C)
P
-
P
O
W
E
R
DI
S
IP
A
T
IO
N
(
m
W
)
D
o
TO-92
SOT-23
Noise Figure vs Frequency
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
f - FREQUENCY (MHz)
N
F
-
NO
IS
E
F
IGU
RE
(d
B
)
V
= 5.0V
CE
I
= 200
A,
R
= 10 k
C
S
I
= 1.0 mA,
R
= 500
C
S
I
= 100
A,
R
= 10 k
C
S
I = 1.0 mA,
R = 5.0 k
C
S
Normalized Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
1
10
100
1000
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
C
H
A
R
A
C
TE
R
IS
T
IC
S
R
E
LA
TI
V
E
T
O
V
A
LU
E
A
T
=
2
5
C
A
°
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
2
N
52
10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5210J18Z | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5240 | 50 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5245 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 2N5248 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5302 | 30 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5210NMBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TAR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TAR_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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