參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5210D75Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 10/11頁(yè)
文件大小： 570K
代理商： 2N5210D75Z
TO-92 Tape and Reel Data, continued
September 1999, Rev. B
TO-92 Reeling Style
Configuration: Figure 2.0
Style “A”, D26Z, D70Z (s/h)
Machine Option “A” (H)
Style “E”, D27Z, D71Z (s/h)
Machine Option “E” (J)
FIRST WIRE OFF IS EMITTER
ADHESIVE TAPE IS ON THE TOP SIDE
FLAT OF TRANSISTOR IS ON BOTTOM
ORDER STYLE
D75Z (P)
FIRST WIRE OFF IS COLLECTOR
ADHESIVE TAPE IS ON THE TOP SIDE
FLAT OF TRANSISTOR IS ON TOP
ORDER STYLE
D74Z (M)
TO-92 Radial Ammo Packaging
Configuration: Figure 3.0
FIRST WIRE OFF IS EMITTER (ON PKG. 92)
ADHESIVE TAPE IS ON BOTTOM SIDE
FLAT OF TRANSISTOR IS ON BOTTOM
FIRST WIRE OFF IS COLLECTOR (ON PKG. 92)
ADHESIVE TAPE IS ON BOTTOM SIDE
FLAT OF TRANSISTOR IS ON TOP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5210J18Z 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N5240 50 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N5245 Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
2N5248 Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5302 30 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5210NMBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5210RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5210TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5210TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5210TAR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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