參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5210D75Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大小： 570K
代理商： 2N5210D75Z
3
2N5210
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 1.0 mA, IB = 0
50
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 0.1 mA, IE = 0
50
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 35 V, IE = 0
50
nA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 3.0 V, IC = 0
50
nA
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
IC = 100
A, V
CE = 5.0 V
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V*
200
250
600
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
0.7
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V
0.85
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 500
A,V
CE = 5.0 V,
f= 20 MHz
30
MHz
Ccb
Collector-Base Capacitance
VCB = 5.0 V, IE = 0, f = 100 kHz
4.0
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V,
f = 1.0 kHz
250
900
NF
Noise Figure
IC = 20
A, V
CE = 5.0 V,
RS = 22 k
, f = 10 Hz to 15.7 kHz
IC = 20
A, V
CE = 5.0 V,
RS = 10 k
, f = 1.0 kHz
2.0
3.0
dB
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5210J18Z 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N5240 50 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N5245 Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
2N5248 Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5302 30 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
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參數(shù)描述
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2N5210RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5210TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5210TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5210TAR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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