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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5087RLRA |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | 2N5087RLRA |
2N5087
http://onsemi.com
4
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 6. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
0.003
h
,DC
CURRENT
GAIN
FE
TJ = 125°C
55°C
25°C
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
Figure 7. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.4
Figure 8. Collector Characteristics
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.6
100
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
*qVC for VCE(sat)
qVB for VBE
0.1
0.2
0.5
Figure 9. “On” Voltages
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0
V CE
,COLLECTOREMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.002
TA = 25°C
IC = 1.0 mA
10 mA
100 mA
Figure 10. Temperature Coefficients
50 mA
VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
40
60
80
100
20
0
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(mA)
TA = 25°C
PULSE WIDTH = 300 ms
DUTY CYCLE ≤ 2.0%
IB = 400 mA
350 mA
300 mA
250 mA
200 mA
*APPLIES for IC/IB ≤ hFE/2
25°C to 125°C
55°C to 25°C
25°C to 125°C
55°C to 25°C
40
60
0.005
0.01
0.02 0.03 0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
5.0
10
15
20
25
30
35
40
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2.4
0.8
0
1.6
0.8
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.1
0.2
0.5
200
100
80
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
150 mA
100 mA
50 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5087T93 | 200 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2N5089 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5090 | 400 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-210AB |
| 2N5095.MODR1 | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2N5087TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087TAR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087TF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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