參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5089
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2N5089
D
S21603 Rev. E-3
1 of 2
2N5088/89/MMBT5088/89
2N5088/89 / MMBT5088/89
NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Low Noise High Gain
Epitaxial Planar Die Construction
Available in both Through-Hole and Surface
Mount Packages
General Purpose, Low Noise Amplifier
Notes:
1. Valid provided that leads at a distance of 2.0mm from body are kept at specified ambient (TO-92).
2. Device mounted on FR-4 PCB 40 x 40 x 1.5mm..
3. Pulse test: Pulse width
l 300s, duty cycle l 2%.
Features
Maximum Ratings
@ TA = 25°C unless otherwise specified
A
E
J
L
M
B C
H
G
D
K
TOP VIEW
C
E
B
Characteristic
Symbol
2N/MMBT5088
2N/MMBT5089
Unit
Collector-Emitter Voltage
VCEO
30
25
V
Collector- Base Voltage
VCBO
35
30
V
Emitter- Base Voltage
VEBO
4.5
V
Collector Current
IC
100
mA
Total Device Dissipation
TO-92 (Note 1)
SOT-23 (Note 2)
Pd
625
350
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
TO-92 (Note 1)
SOT-23 (Note 2)
RqJA
200
357
K/W
Thermal Resistance, Junction to Collector
RqJC
83.3
K/W
Operating and Storage Temperature
Tj,TSTG
-55 to +150
°C
Mechanical Data
Case: TO-92/SOT-23, Plastic
Leads/Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking:
TO-92
Type Number
SOT-23 MMBT5088 1Q
MMBT5089 1R
Approx Weight: TO-92
0.18 grams
SOT-23 0.008 grams
MMBT5088 / MMBT5089
2N5088 / 2N5089
D
CB E
H
BOTTOM
VIEW
E
A
B
C
G
TO-92
Dim
Min
Max
A
4.32
4.83
B
4.32
4.78
C
12.50
15.62
D
0.36
0.56
E
3.15
3.94
G
2.29
2.79
H
1.14
1.40
All Dimensions in mm
SOT-23
Dim
Min
Max
A
0.37
0.51
B
1.19
1.40
C
2.10
2.50
D
0.89
1.05
E
0.45
0.61
G
1.78
2.05
H
2.65
3.05
J
0.013
0.15
K
0.89
1.10
L
0.45
0.61
M
0.076
0.178
All Dimensions in mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5090 400 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-210AB
2N5095.MODR1 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD
2N5095 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5
2N3439 1000 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
2N5114 P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-206AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5089_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_J18Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_J18Z_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*