參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5087RLRA
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 151K
代理商： 2N5087RLRA
2N5087
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
50
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(IC = 100 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
50
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 35 Vdc, IE = 0)
ICBO
50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
50
nAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc) (Note 1)
hFE
250
800
CollectorEmitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
VCE(sat)
0.3
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
VBE(on)
0.85
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain — Bandwidth Product
(IC = 500 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 20 MHz)
fT
40
MHz
CollectorBase Capacitance
(VCB = 5.0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
4.0
pF
SmallSignal Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe
250
900
Noise Figure
(IC = 20 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 kW, f = 1.0 kHz)
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 3.0 kW, f = 1.0 kHz)
NF
2.0
dB
1. Pulse Test: Pulse Width
≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5087T93 200 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5089 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5089 SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5090 400 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-210AB
2N5095.MODR1 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD
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參數(shù)描述
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2N5087TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5087TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5087TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5087TF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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