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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N4920-BP |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 490K |
| 代理商： | 2N4920-BP |
Figure 2. Switching Time Equivalent Test Circuit
5.0
10
Figure 3. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
VCC = 30 V
IC/IB = 20
t,TIME
(s)
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
20 30
50 70 100
200
700 1000
Vin
t1
VBE(off)
APPROX 9.0 V
TURN-OFF PULSE
t3
t2
APPROX
-11 V
VCC
SCOPE
RB
Cjd <<Ceb
+4.0 V
t1 < 15 ns
100 < t2 < 500 s
t3 < 15 ns
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
Vin
RC
0.07
3.0
TJ = 25°C
TJ = 150°C
IC/IB = 10, UNLESS NOTED
VCC = 60 V
VCC = 30 V
VBE(off) = 0
300
500
0
Vin
APPROX
-11 V
RB and RC
varied to
obtain desired
current levels
tr
VBE(off) = 2.0 V
VCC = 60 V
td
Figure 4. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.02 0.03
r(t)
,TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
100
200 300
1000
500
θJC(t) = r(t) θJC
θJC = 4.16°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
10
1.0
Figure 5. Active–Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
5.0
2.0
1.0
0.5
0.1
2.0 3.0
5.0
10
20
30
50
100
70
0.2
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMP)
TJ = 150°C
dc
5.0 ms
100 s
7.0
PULSE CURVES APPLY BELOW
RATED VCEO
1.0 ms
SECOND BREAKDOWN LIMITED
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMIT @ TC = 25°C
MCC
2N4920
Revision: 3
2006/05/17
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4920 | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N4920 | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N3741 | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5679 | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N3634 | 1000 mA, 140 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N4920G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4921 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4921/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors |
| 2N4921_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Medium−Power Plastic NPN Silicon Transistors |
| 2N4921G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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