參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4920-BP
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 490K
代理商： 2N4920-BP
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
(1)
(VCE=1.0Vdc, IC=50mAdc)
(VCE=1.0Vdc, IC=500mAdc)
(VCE=1.0Vdc, IC=1.0Adc)
40
30
10
150
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(1)
(IC=1.0Adc, IB=0.1Adc)
---
0.6
Vdc
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(1)
(IC=1.0Adc, IB=0.1Adc)
---
1.3
Vdc
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
(1)
(IC=1.0Adc, VCE=1.0Vdc)
---
1.3
Vdc
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current-Gain Bandwidth Product
(IC=250mAdc, VCE=10Vdc, f=1.0MHz)
3.0
---
MHz
COB
Output Capacitance
(VCB=10Vdc, IE=0, f=100KHz)
---
100
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
(IC=250mAdc, VCE=10Vdc, f=1.0KHz)
25
---
* Pulse Test: Pulse Width=300us, Duty Cycle=2.0%
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
P D
,POWER
DISSIP
ATION
(W
ATTS)
MCC
2N4920
Revision: 3
2006/05/17
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
2 of 6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4920 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2N4920 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N3741 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2N5679 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
2N3634 1000 mA, 140 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N4920G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4921 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4921/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors
2N4921_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Medium−Power Plastic NPN Silicon Transistors
2N4921G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*