參數(shù)資料
型號： 2N4919
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS
中文描述： 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA
封裝： PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： 2N4919
2N4918 thru 2N4920
http://onsemi.com
3
(1) Pulse Test: PW
300
μ
s, Duty Cycle
2.0%
VCEO(sus)
60
—
(VCE = 30 Vdc, IB = 0)
—
0.5
0.1
—
mAdc
0.5
mAdc
Collector Cutoff Current
(VCB = Rated VCB, IE = 0)
(VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125 C
—
mAdc
Emitter Cutoff Current
IEBO
—
1.0
mAdc
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
10
40
—
150
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
Base–Emitter On Voltage (1)
VBE(on)
—
1.3
Figure 2. Switching Time Equivalent Test Circuit
5.0
10
Figure 3. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
VCC = 30 V
IC/IB = 20
t
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
20
30
50
70
100
200
700 1000
Vin
t1
VBE(off)
APPROX 9.0 V
TURN-OFF PULSE
t3
t2
APPROX
-11 V
VCC
SCOPE
RB
Cjd<<Ceb
+4.0 V
t1 < 15 ns
100 < t2 < 500
μ
s
t3 < 15 ns
DUTY CYCLE
≈
2.0%
Vin
RC
3.0
TJ = 25
°
C
TJ = 150
°
C
IC/IB = 10, UNLESS NOTED
VCC = 60 V
VCC = 30 V
VCC = 30 V
VBE(off) = 0
300
500
0
0
Vin
APPROX
-11 V
RB and RC
varied to
obtain desired
current levels
tr
VBE(off) = 2.0 V
VCC = 60 V
td
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PDF描述
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參數(shù)描述
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