參數(shù)資料
型號： 2N4338
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大飽和漏極電流0.6mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道場效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 50V的最大飽和漏極電流0.6毫安的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/6頁
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代理商： 2N4338
2N4338/4339/4340/4341
6
Siliconix
P-37408—Rev. D, 04-Jul-94
Typical Characteristics (Cont’d)
10
100
1 k
100 k
10 k
10
0
–12
–16
–20
–8
–4
8
6
4
2
0
5
0
–12
–20
–16
–8
–4
4
3
2
1
0
Common-Source Reverse Feedback
Capacitance vs. Gate-Source Voltage
–
C
r
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
DS
= 0 V
10 V
f = 1 MHz
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
Common-Source Input Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
–
C
i
V
DS
= 0 V
10 V
f = 1 MHz
20
16
12
8
4
0
Output Conductance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
T
A
= –55 C
125 C
Equivalent Input Noise Voltage vs. Frequency
f – Frequency (Hz)
V
DS
= 10 V
I
D
= 100 A
I
D
= I
DSS
3
2.4
1.8
0.8
0.4
0
0.01
0.1
1
V
GS(off)
= –1.5 V
25 C
S
g
–
(
e
n
/
√
)
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4339 N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大飽和漏極電流1.5mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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2N4339 功能描述:JFET 50V 1.5mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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