2N4338-2

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制造商
Vishay Siliconix
功能描述
TRANS JFET N-CH 3PIN TO-18 - Bulk

2N4338-2 技術(shù)參數(shù)

2N4338 功能描述:MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:200μA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:300mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4300 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4264 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:350MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2N4261UB 功能描述:TRANS PNP 15V 0.03A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4261 功能描述:TRANS PNP 15V 0.03A TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-72-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4365 2N4366 2N4367 2N4368 2N4371 2N4372 2N4373 2N4374 2N4375 2N4376 2N4377 2N4378 2N4391 2N4391-2 2N4391-E3 2N4391UB 2N4392 2N4392-2