參數(shù)資料
型號: 2N4124-BULK
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 3/7頁
文件大?。?/td> 141K
代理商: 2N4124-BULK
VISHAY
2N4124
Document Number 85110
Rev. 1.2, 01-Sep-04
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Figure 3. Pulse Thermal Resistance vs. Pulse Duration
Figure 4. Gain-Bandwidth Product vs. Collector Current
Figure 5. Collector Saturation Voltage vs. Collector Current
°C/W
10
3
2
-1
10
1
2
10
-1
-2
-3
-4
-5
-6
rthC
tp
tp
tp
PI
T
ν =
s
0.2
0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
ν =0
19163
MHz103
2
10
1
2
10
3
10
IC
fr
T= 25 °C
f=20MHz
amb
V= 5 V
CE
1V
19164
mA
V
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
10
3
1
10
10-1
10
2
25 °C
150 °C
-50°C
typical
limits
@T
=25°C
amb
mA
VCEsat
IC
19165
IC
IB
=10
Figure 6. DC Current Gain vs. Collector Current
Figure 7. Base Saturation Voltage vs. Collector Current
Figure 8. Common Emitter Collector Characteristics
1000
100
10
103
10
2
10
-1
1
IC
hFE
150 °C
-50°C
T= 25 °C
amb
-V
=1V
CE
19166
V
2
0
10
3
1
10
10-1
10
2
25 °C
150 °C
-50°C
typical
limits
@T
=25°C
amb
mA
VBEsat
IC
19167
IC
IB
=10
1
mA
500
400
300
200
100
0
IC
01
2V
VCE
I
= 0.2 mA
B
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.4
2.8
3.2
19168
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PDF描述
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2N4124G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2N4124T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92