參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4124-BULK
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 141K
代理商： 2N4124-BULK
www.vishay.com
2
Document Number 85110
Rev. 1.2, 01-Sep-04
VISHAY
2N4124
Vishay Semiconductors
Electrical DC Characteristics
Electrical AC Characteristics
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified)
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DC current gain
VCE = 1 V, IC = 2.0 mA
hFE
120
360
VCE = 1 V, IC = 50 mA
hFE
60
Collector-base cut-off current
VCB = 20 V
ICBO
50
nA
Emitter-base cut-off current
VEB = 3 V
IEBO
50
nA
Collector saturation voltage
IC = 50 mA, IB = 5 mA
VCEsat
0.3
V
Base saturation voltage
IC = 50 mA, IB = 5 mA
VBEsat
0.95
V
Collector-emitter breakdown
voltage
IC = 1 mA
V(BR)CEO
25
V
Collector-base breakdown
voltage
IC = 10 AV(BR)CBO
30
V
Emitter-base breakdown
voltage
IE = 10 AV(BR)EBO
5V
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Gain - bandwidth product
VCE = 5 V, IC = 10 mA,
f = 50 MHz
fT
200
MHz
Collector - base capacitance
VCB = 10 V, f = 1 MHz
CCBO
12
pF
Figure 1. Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature
W
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
200 °C
Ptot
Tamb
19161
Figure 2. Collector Current vs. Base-Emitter Voltage
mA
103
10
2
10
-1
1
0
1
2V
IC
VBE
19162
25 °C
150 °C
50 °C
typical
limits
@T
=25°C
amb
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4124/E7 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
2N4124M1TC 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N3904STOB 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N4400STOB 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N3903STOB 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N4124-BULKS 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4124G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4124G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF Bipolar Transistor
2N4124RA 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4124T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
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