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參數(shù)資料
| 型號： | 2N4123 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | General Purpose NPN Silicon Transistor(30V（集電極-發(fā)射極）通用型硅NPN晶體管) |
| 中文描述： | 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 162K |
| 代理商： | 2N4123 |
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
STATIC CHARACTERISTICS
Figure 9. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.1
100
1.0
0.7
200
30
20
5.0
7.0
F
VCE = 1 V
TJ = +125
°
C
+25
°
C
–55
°
C
Figure 10. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
C
IC = 1 mA
TJ = 25
°
C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
30 mA
100 mA
Figure 11. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.2
Figure 12. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
100
–0.5
0
0.5
1.0
0
60
80
120
140
160
180
20
40
100
200
–1.0
–1.5
–2.0
200
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 1 V
+25
°
C to +125
°
C
–55
°
C to +25
°
C
+25
°
C to +125
°
C
–55
°
C to +25
°
C
VC for VCE(sat)
VB for VBE(sat)
θ
°
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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