參數(shù)資料
型號(hào)： 2N3415L34Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 293K
代理商： 2N3415L34Z
2N3415
Discrete POWER & Signal
Technologies
NPN General Purpose Amplifier
2N3415
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced
from Process 10. See PN100A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
25
V
VCBO
Collector-Base Voltage
25
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5.0
V
IC
Collector Current - Continuous
500
mA
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Symbol
Characteristic
Max
Units
2N3415
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
°C/W
E
C
B
TO-92
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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