參數(shù)資料
型號： 2N3415L34Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 2/7頁
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代理商： 2N3415L34Z
2N3415
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage*
IC = 10 mA, IB = 0
25
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, I
E = 0
25
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, I
C = 0
5.0
V
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 25 V, IE = 0
VCB = 25 V, IE = 0, TA = 100
°C
0.1
15
A
IEBO
Emitter-Cutoff Current
VEB = 5.0 V, IC = 0
0.1
A
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE = 4.5 V, IC = 2.0 mA
180
540
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 50 mA, IB = 3.0 mA
0.3
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 50 mA, IB = 3.0 mA
0.6
1.3
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 2.0 mA, VCE = 4.5 V,
f = 1.0 kHz
180
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
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PDF描述
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