參數(shù)資料
型號(hào): 2MBI225VN-120-50
廠(chǎng)商: FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: 225 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-11
文件頁(yè)數(shù): 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 599K
代理商: 2MBI225VN-120-50
4
2MBI225VN-120-50
4
IGBT Modules
Temperature characteristic (typ.)
[INVERTER]
Transient Thermal Resistance (max.)
[INVERTER]
Forward Current vs. Forward Voltage (typ.)
chip
[THERMISTOR]
Reverse Recovery Characteristics (typ.)
Vcc=600V, Vge=±15V, Rg=1.6Ω, Tj=125°C, 150°C
Reverse Recovery Characteristics (typ.)
Vcc=600V, Vge=±15V, Rg=1.6Ω, Tj=25°C
0
100
200
300
400
500
0
1
2
3
Forward on voltage: Vf [V]
Fo
rw
ar
d
cu
rr
en
t:
If
[A
]
125°C
Tj=25°C
150°C
10
100
1000
10000
0
100
200
300
400
500
Forward current: If [A]
R
ev
er
se
re
co
ve
ry
cu
rr
en
t:
Irr
[A
]
R
ev
er
se
re
co
ve
ry
tim
e:
trr
[n
se
c]
Irr
trr
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
Pulse Width : Pw [sec]
Th
er
m
al
re
si
st
an
se
:R
th
(j-
c)
C
/W
]
FWD
IGBT
0.1
1
10
100
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
Temperature [°C]
R
es
is
ta
nc
e
:R
[k
Ω
]
10
100
1000
10000
0
100
200
300
400
500
Forward current: If [A]
R
ev
er
se
re
co
ve
ry
cu
rr
en
t:
Irr
[A
]
R
ev
er
se
re
co
ve
ry
tim
e:
trr
[n
se
c]
Irr
trr
Tj=125oC
Tj=150oC
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