參數(shù)資料
型號(hào)： 29LV800TE
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： 8M (1M x 8/512 K x 16) BIT
中文描述： 8米（3米x五百一十二分之八畝× 16）位
文件頁數(shù)： 30/58頁
文件大?。?/td> 292K
代理商： 29LV800TE
MBM29LV800TE/BE
60/70/90
29
I
AC CHARACTERISTICS
Read Only Operations Characteristics
Parameter
Symbols
Test
Setup
Value*
Unit
60
70
90
JEDEC Standard
Min Max Min Max
Min
Max
Read Cycle Time
t
AVAV
t
RC
60
70
90
ns
Address to Output Delay
t
AVQV
t
ACC
CE
=
V
IL
OE
=
V
IL
OE
=
V
IL
60
70
90
ns
Chip Enable to Output Delay
t
ELQV
t
CE
60
70
90
ns
Output Enable to Output Delay
t
GLQV
t
OE
30
30
35
ns
Chip Enable to Output High-Z
t
EHQZ
t
DF
25
25
30
ns
Output Enable to Output High-Z
t
GHQZ
t
DF
25
25
30
ns
Output Hold Time From Addresses,
CE or OE, Whichever Occurs First
t
AXQX
t
OH
0
0
0
ns
RESET Pin Low to Read Mode
t
READY
20
20
20
μ
s
CE to BYTE Switching Low or High
t
ELFL
t
ELFH
5
5
5
ns
* : Test Conditions :
Output Load : 1 TTL gate and 30 pF (MBM29LV800TE60/BE60, MBM29LV800TE70/BE70)
1 TTL gate and 100 pF (MBM29LV800TE90/BE90)
Input rise and fall times : 5 ns
Input pulse levels : 0.0 V or 3.0 V
Timing measurement reference level
Input : 1.5 V
Output : 1.5 V
C
L
3.3 V
Diode
=
1N3064
or equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
Diode = 1N3064
or equivalent
6.2 k
Test Conditions
Note : C
L
=
30 pF including jig capacitance (MBM29LV800TE60/BE60, MBM29LV800TE70/BE70)
C
L
=
100 pF including jig capacitance (MBM29LV800TE90/BE90)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
29PL256N 256/128/128 Mb (16/8/8 M x 16-Bit) CMOS, 3.0 Volt-only Simultaneous Read/Write, Page-Mode Flash Memory
29PS 25PS, 42PS, 44PS, 45PS and 46PS Series Pressure Switches
29SL800CB-90 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 1.8V ONLY FLASH MEMORY
29SL800CT-90 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 1.8V ONLY FLASH MEMORY
29U194A The CAT24FC02 is a 2-kb Serial CMOS EEPROM internally organized as 256 words of 8 bits each
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參數(shù)描述
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29M455 制造商:Clarostat 功能描述:_
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