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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29LV650 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 64M (4M x 16) BIT |
| 中文描述： | 64M號(hào)（4米× 16）位 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 37/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | 29LV650 |
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MBM29LV650UE/651UE-
90/12
37
Notes: 1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
Figure 6 Alternate WE Controlled Program Operation Timing Diagram
t
CH
t
WP
t
WHWH1
t
WC
t
AH
CE
OE
t
RC
Addresses
Data
t
AS
t
OE
t
WPH
t
GHWL
t
DH
DQ
7
PD
A0h
D
OUT
WE
XXXh
PA
PA
t
OH
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
CS
t
CE
t
DS
D
OUT
t
DF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29LV800BB-70 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BB-90 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-70 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-90 | 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BE | 8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29LV800BB-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BB-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| 29LV800BT-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 29LV800BT-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
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