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參數(shù)資料
| 型號： | 28F200BX |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 2兆位（128K的× 16，256K × 8）啟動塊閃存系列 |
| 文件頁數(shù)： | 47/55頁 |
| 文件大小： | 636K |
| 代理商： | 28F200BX |
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E
4.11
2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FAMILY
47
SEE NEW DESIGN RECOMMENDATIONS
DC Characteristics
—Extended Temperature Operations
(Continued)
Prod
TBV-80
TBV-80
TBE-120
Sym
Parameter
V
CC
3.3 ± 0.3 V
5 V ± 10%
Unit
Test Conditions
Notes
Typ
Max
Typ
Max
V
ID
A
9
Intelligent Identifier
Voltage
11.4
12.6
11.4
12.6
V
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
CC
±
0.5V
2.0
V
CC
±
0.5V
V
V
OL
Output Low Voltage
0.45
0.45
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OL
= 5.8 mA (5 V)
2 mA (3.3 V)
V
PP
= 12V
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –2.5 mA
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –2.5 mA
V
OH
1
Output High Voltage (TTL)
2.4
2.4
V
V
OH
2
Output High Voltage
(CMOS)
0.85
×
V
CC
0.85
×
V
CC
V
V
CC
–
0.4V
V
CC
–
0.4V
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
=
–100 μA
V
PPLK
V
PP
Lock-Out Voltage
3
0.0
1.5
0.0
1.5
V
Complete Write
Protection
V
PPH
1
V
PP
during Program/Erase
Operations
4.5
5.5
4.5
5.5
V
V
PP
at 5 V
V
PPH
2
11.4
12.6
11.4
12.6
V
V
PP
at 12 V
V
LKO
V
CC
Program/Erase
Lock Voltage
8
2.0
2.0
V
V
HH
RP# Unlock Voltage
11.4
12.6
11.4
12.6
V
V
PP
= 12 V
Boot Block Program/
Erase
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F200BX-TB | 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 28F200BX-T | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F200BX-T - 2-MBIT (128K x 16. 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F200BX-T/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 28F200BX-TB | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F200BX-TL/BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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