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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F200BL-TB |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8)LOW-POWER BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 2兆位（128K的× 16，256K × 8）低功耗啟動(dòng)塊閃存系列 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 41/55頁(yè) |
| 文件大小： | 636K |
| 代理商： | 28F200BL-TB |
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E
4.7
2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FAMILY
41
SEE NEW DESIGN RECOMMENDATIONS
AC Characteristics
—CE#-Controlled Write Operations
(1, 12)
—Commercial
(Continued)
Prod
BV-80
BV-120
Sym
Parameter
V
CC
3.3 ± 0.3V
(9)
5V±10%
(11)
3.3 ± 0.3V
(9)
5V±10%
(11)
Unit
Load
50 pF
100 pF
50 pF
100 pF
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
Write Cycle Time
150
80
180
120
ns
t
PHEL
RP# High Recovery to
CE# Going Low
0.8
0.45
0.8
0.45
μ
s
t
WLEL
WE# Setup to CE# Going
Low
0
0
0
0
ns
t
PHHEH
Boot Block Lock Setup to
CE# Going High
V
PP
Setup to CE# Going
High
6,8
200
100
200
100
ns
t
VPEH
5,8
200
100
200
100
ns
t
AVEH
Address Setup to CE#
Going High
3
120
50
150
50
ns
t
DVEH
Data Setup to CE# Going
High
4
120
50
150
50
ns
t
ELEH
CE# Pulse Width
120
50
150
50
ns
t
EHDX
Data Hold Time from CE#
High
4
0
0
0
0
ns
t
EHAX
Address Hold Time from
CE# High
3
0
0
0
0
ns
t
EHWH
WE # Hold Time from
CE# High
0
0
0
0
ns
t
EHEL
CE# Pulse Width High
30
30
30
30
ns
t
EHQV1
Duration of Word/Byte
Programming Operation
2,5
6
6
6
6
μs
t
EHQV2
Erase Duration (Boot)
2,5,6
0.3
0.3
0.3
0.3
s
t
EHQV3
Erase Duration (Param)
2,5
0.3
0.3
0.3
0.3
s
t
EHQV4
Erase Duration(Main)
2,5
0.6
0.6
0.6
0.6
s
t
QVVL
V
PP
Hold from Valid SRD
5,8
0
0
0
0
ns
t
QVPH
RP# V
HH
Hold from
Valid SRD
6,8
0
0
0
0
ns
t
PHBR
Boot-Block Lock Delay
7,8
200
100
200
100
ns
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