參數(shù)資料
型號： 1N4448-TAP
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： DIODE 0.3 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Signal Diode
中文描述： Diodes (General Purpose, Power, Switching) Vr/75V Io/150mA
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 97K
代理商： 1N4448-TAP
www.vishay.com
2
Document Number 81858
Rev. 1.1, 17-Aug-10
1N4448
Vishay Semiconductors
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Electrical Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Typical Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Test condition
I
F
= 5 mA
I
F
= 100 mA
V
R
= 20 V
V
R
= 20 V, T
j
= 150 °C
V
R
= 75 V
I
R
= 100 μA, t
p
/T = 0.01,
t
p
= 0.3 ms
V
R
= 0, f = 1 MHz, V
HF
= 50 mV
V
HF
= 2 V, f = 100 MHz
I
F
= I
R
= 10 mA, i
R
= 1 mA
I
F
= 10 mA, V
R
= 6 V,
i
R
= 0.1 x I
R
, R
L
= 100
Ω
Symbol
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
Min.
620
Typ.
Max.
720
Unit
mV
Forward voltage
1000
mV
Reverse current
25
nA
50
μA
5
μA
Breakdown voltage
V
(BR)
100
V
Diode capacitance
C
D
η
r
t
rr
4
pF
Rectification efficiency
45
%
Reverse recovery time
8
ns
t
rr
4
ns
Figure 1. Forward Voltage vs. Junction Temperature
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
0
- 30
0.2
0.4
0.6
0.
8
1.2
V
w
a
V
o
V
)
F
T
j
- J
u
nction Temperat
u
re (°C)
94 9169
1.0
I
F
= 100 mA
10 mA
1 m
0.1 mA
30
60
90
120
0
0
0.4
0.
8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
1000
I
w
a
u
r
F
V
F
- For
w
ard
V
oltage (
V
)
2.0
94 9171
Scattering Limit
T = 25 °C
1
N
444
8
Figure 3. Reverse Current vs. Reverse Voltage
1
10
100
1000
I
R
-
v
e
u
r
V
R
- Re
v
erse
V
oltage (
V
)
10
1
100
94 909
8
T
j
= 25 °C
Scattering Limit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4448TR Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
1N4448W-V-GS08 Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 2-Pin SOD-123 T/R
1N4448W-V-GS18 Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 2-Pin SOD-123 T/R
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1N5819TR DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Signal Diode
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