型號: | ZXTD09N50DE6 |
廠商: | Zetex Semiconductor |
英文描述: | DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
中文描述: | 雙50V NPN硅低飽和開關(guān)晶體管 |
文件頁數(shù): | 4/8頁 |
文件大小: | 288K |
代理商: | ZXTD09N50DE6 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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ZXTD09N50DE6TA | DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
ZXTD09N50DE6TC | DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
ZXTD1M832 | MPPSTM Miniature Package Power Solutions DUAL 12V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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ZXTD09N50DE6TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
ZXTD09N50DE6TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
ZXTD1M832 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:MPPSTM Miniature Package Power Solutions DUAL 12V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
ZXTD1M832TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 12V PNP 3x2 MLP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
ZXTD1M832TC | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:MPPSTM Miniature Package Power Solutions DUAL 12V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |