參數(shù)資料
型號： ZXTD09N50DE6
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
中文描述： 雙50V NPN硅低飽和開關(guān)晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 288K
代理商： ZXTD09N50DE6
ISSUE 2 - JUNE 2001
ZXTD09N50DE6
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
50
V
I
C
= 100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
50
V
I
C
= 10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
= 100
μ
A
Collector Cut-Off Current I
CBO
10
nA
V
CB
= 40V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
10
nA
V
EB
= 4V
Collector Emitter Cut-Off
Current
I
CES
10
nA
V
CES= 40V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
24
60
120
160
35
80
200
270
mV
mV
mV
mV
I
C
= 100mA, I
B
= 10mA*
I
C
= 250mA, I
B
= 10mA*
I
C
= 500mA, I
= 10mA*
I
C
= 1A, I
B
= 50mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
940
1100
mV
I
C
= 1A, I
B
= 50mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
850
1100
mV
I
C
= 1A, V
CE
= 2V*
Static Forward Current
Transfer
Ratio
h
FE
200
300
200
75
20
420
450
350
130
60
I
C
=10mA, V
= 2V*
I
C
= 100mA, V
CE
=2 V*
I
C
= 500mA, V
=2V*
I
C
= 1A, V
CE
= 2V*
I
C
= 1.5A, V
CE
=2 V*
Transition
Frequency
f
T
215
MHz
I
= 50mA, V
CE
=10V
f= 100MHz
Output Capacitance
C
obo
10
pF
V
CB
= 10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(on)
150
ns
V
CC
=10 V, I
= 1A
I
B1
=I
B2
=100mA
Turn-Off Time
t
(off)
425
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
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