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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZXMN6A25DN8TC |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Line Filter; Current Rating:30A; Voltage Rating:250V; Features:High Attenuation; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Terminal Type:Screw; Series:MXB |
| 中文描述： | 3.6 A, 60 V, 0.055 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | ZXMN6A25DN8TC |
ZXMN6A25DN8
PROVISIONAL ISSUE B - J UNE 2003
6
S E M IC O N D U C T O R S
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN6A25DN8(1) | |
| ZXMP3A13F | 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP3A13FTA | 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP3A13FTC | 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMP3A16DN8 | DUAL P-CHANNEL 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZXMN6A25G | 功能描述:MOSFET N-CHAN 60V SOT223 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| ZXMN6A25GTA | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZXMN6A25K | 功能描述:MOSFET N-CHAN 60V DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| ZXMN6A25KTC | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZXMN6A25N8 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET |
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