參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMN6A09DN8
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 雙60V的N溝道增強(qiáng)型MOS管
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 694K
代理商： ZXMN6A09DN8
PROVISIONAL ISSUE D - AUGUST 2001
ZXMN6A09DN8
6
1
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
C
RSS
C
OSS
C
ISS
V
GS
= 0V
f = 1MHz
C
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
I
D
= 3.5A
V
DS
= 15V
Q - Charge (nC)
V
G
Basic Gate Charge Waveform
Gate Charge Test Circuit
Switching Time Waveforms
Switching Time Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMN6A09DN8TA DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN6A09DN8TC DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN6A09G 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN6A09GTA 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN6A09GTC 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMN6A09DN8(1) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
ZXMN6A09DN8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N DUAL SO-8
ZXMN6A09DN8_07 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN6A09DN8TA 功能描述:MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN6A09DN8TC 功能描述:MOSFET 60V N-Chan RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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